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產(chǎn)品詳細(xì)頁(yè)場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡
- 訪(fǎng)問(wèn)量:5430
- 更新日期:2023-03-20
- 產(chǎn)品介紹:Quattro場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡的場(chǎng)發(fā)射電子槍?zhuān)‵EG)確保了優(yōu)異的分辨率,通過(guò)不同的探測(cè)器選項(xiàng),可以調(diào)節(jié)不同襯度信息,包括定向背散射、STEM和陰極熒光信息。
- 廠商性質(zhì):代理商
產(chǎn)品介紹
品牌 | FEI/賽默飛 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
---|---|---|---|
價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 儀器種類(lèi) | 場(chǎng)發(fā)射 |
應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,石油 |
場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡Quattro SEM特點(diǎn)與用途:
在自然狀態(tài)下對(duì)材料進(jìn)行預(yù)案為研究,具有環(huán)境真空模式(ESEM)的高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡;
縮短樣品制備時(shí)間:低真空和環(huán)境真空技術(shù)可針對(duì)不導(dǎo)電和/或含水樣品直接成像和分析,樣品表面無(wú)荷電累積;
在各種操作模式下分析導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品,同步獲取二次電子像和背散射電子像;
優(yōu)良的分析性能,樣品倉(cāng)可同時(shí)安裝3三個(gè)EDS探測(cè)器,其中2個(gè)EDS端口分開(kāi)180°、WDS和共勉EDS/EBSD;
針對(duì)不導(dǎo)電樣品的分析性能:憑借“壓差真空系統(tǒng)"實(shí)現(xiàn)低真空模式下的EDS和EBSD分析;
靈活、準(zhǔn)確的優(yōu)中心樣品臺(tái),105°傾斜角度范圍,可多方位觀察樣品;
軟件直觀、簡(jiǎn)便易用,并配置用戶(hù)向?qū)Ъ癠ndo(撤銷(xiāo))功能,操作步驟減少,分析更快速;
全新創(chuàng)新選項(xiàng),包括可伸縮RGB陰極熒光(CL)探測(cè)器、1100℃高真空熱臺(tái)和AutoScript。
金屬及合金、斷口、焊點(diǎn)、拋光斷面、磁性及超導(dǎo)材料
陶瓷、復(fù)合材料、塑料
薄膜/涂層
地質(zhì)樣品斷面、礦物
軟材料:聚合物、藥物、濾膜、凝膠、生物組織、植物材料
顆粒、多孔材料、纖維
水合/脫水/濕潤(rùn)/接觸角分析
結(jié)晶/相變
氧化/催化
材料生成
拉伸(伴隨加熱或冷卻)
發(fā)射源:高穩(wěn)定型肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍
分辨率:
型號(hào) | Quattro C | Quattro S |
高真空 | ||
30kV(SE) | 1.0nm | |
1kV(SE) | 3.0nm | |
低真空 | ||
30kV(SE) | 1.3nm | |
3kV(SE) | 3.0nm | |
30kV(BSE) | 2.5nm | |
環(huán)境掃描模式 | ||
30kV(SE) | 1.3nm |
放大倍率:6 ~ 2,500,000×
加速電壓范圍:200V ~ 30kV
探針電流范圍:1pA – 200nA,連續(xù)可調(diào)
X-Ray工作距離:10mm,EDS檢出角35°
樣品室:從左至右為340mm寬的大存儲(chǔ)空間,樣品室可拓展接口數(shù)量12個(gè),含能譜儀接口3個(gè)(其中2個(gè)處于180°對(duì)角位置)
樣品臺(tái)和樣品:
探測(cè)器系統(tǒng):
同步檢測(cè)多達(dá)四種信號(hào),包括
樣品室高真空二次電子探測(cè)器ETD
低真空二次電子探測(cè)器LVD
氣體SED(GSED,用于環(huán)境掃描模式)
樣品室內(nèi)IR-CCD紅外相機(jī)(觀察樣品臺(tái)高度)
可用于樣品導(dǎo)航的彩色光學(xué)相機(jī)Nav-Cam™
控制系統(tǒng):
操作系統(tǒng):64為GUI(Windows10)、鍵盤(pán)、光學(xué)鼠標(biāo)
圖像顯示:24寸LCD顯示器,WUXGA 1920×1200
定制化的圖像用戶(hù)界面,可同時(shí)激活多達(dá)4個(gè)視圖
導(dǎo)航蒙太奇
軟件支持Undo和Redo功能
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